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【原創】Mini/Micro LED顯示機會何在?芯片成敗關鍵
mini LED丨micro LED丨華燦光電丨RGB丨小間距丨李鵬 文章來源自:高工新型顯示
2019-11-29 09:26:17 閱讀:4253
摘要華燦光電挺進Mini/Micro LED

  隨著市場對于顯示的需求不斷邁向更高層次,追求視覺效果的真實性變得越發重要.未來4K、8K LED高清屏的市場需求將會進入爆發期,以小間距顯示、Mini LED和Micro LED為代表的新型顯示正迎來新的技術拐點,技術的革新就意味著產業有機會重新改寫游戲規則、重塑顯示領域競爭格局。

  作為國內LED芯片領域龍頭的華燦光電在在Mini/Micro LED領域已布局良久,并取得了實質性的進展。

  據高工新型顯示了解,華燦光電的Mini-LED以及Micro-LED產品在外延和芯片工藝方面進行了全方位優化,已經取得了多項技術突破和發明專利。

  此前的9月,華燦光電在深圳舉行了Mini-LED新品發布暨微顯示戰略合作簽約儀式。

  華燦光電相關負責人表示,LED自發光顯示微縮化的核心就是Mini/Micro-LED芯片,華燦光電Mini-LED新品擁有著眾多華燦特有的技術特點,可以滿足下游客戶的需求。

  在Mini RGB LED芯片技術優化方面,華燦光電設計了高可靠性、高亮度的DBR倒裝芯片結構。通過優化PV和Mesa刻蝕工藝,使金屬連接層平滑覆蓋;優化了電極結構和金屬沉積工藝,設計出高可靠性的電極;并且,通過特有的混編技術,可以消除COB應用情況下的Mura效應。

  同時,隨著芯片尺寸的持續減小,免錫膏封裝芯片方案將成為提高良率、降低成本的關鍵,對此華燦光電已實現了將錫球直接制作在Mini-LED芯片電極上的技術應用。在紅光Mini LED芯片技術方面,華燦開發出高鍵合良率的轉移和鍵合工藝;并設計了頂傷防護層,優化材料沉積工藝,增強膜質,保證無外延頂傷風險。

  在背光Mini LED芯片技術方面,華燦光電優化了膜層結構設計,調節芯片出光,更易實現超薄設計。

  而在Micro-LED芯片方面,華燦光電在Sub微米級的工藝線寬控制、芯片側面漏電保護、襯底剝離技術(批量芯片轉移)、陣列鍵合技術(陣列轉移鍵合)、Micro LED的光形與取光調控方面取得了較好的結果。目前所獲得的的芯片良率可以達到5個9的水平,紅光Micro LED效率也到達了國際領先水平,并針對不同轉移方式,可以提供多種形式的Micro LED樣品。

  “小間距顯示技術已經非常成熟,第三代小間距產品即將面世,Mini LED倒裝RGB芯片技術已經可以量產,Mini LED背光芯片技術趨于成熟。”華燦光電副總裁李鵬認為,Micro LED目前處在開發當中,需要上中下游聯合開發。

  李鵬表示,Micro LED顯示將應用于電視、手機、AR/VR,車載顯示、可穿戴電子、數字顯示(商業廣告與顯示等)。

  據了解,華燦將適時推出Micro LED顯示的所有芯片解決方案。

  更多華燦光電Mini/Micro LED戰略,歡迎報名參加12月5日至6日在深圳機場凱悅酒店舉行的高工LED年會。屆時華燦光電副總裁李鵬博士將帶來《Mini/Micro LED的戰略機會與挑戰》演講,全方位剖析Mini/Micro LED技術及未來。

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